• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 29
  • ALD1102BPAL
    MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 10µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD114904APAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12mA, 3mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 380mV @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD1101PAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 10µA
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD110908APAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12mA, 3mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 810mV @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD212914PAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®, Zero Threshold™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80mA
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 20mV @ 10µA
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD110902PAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.2V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 220mV @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD212900PAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®, Zero Threshold™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 20mV @ 20µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD110900APAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®, Zero Threshold™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 10mV @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD1102PAL
    MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 10µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD111933PAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.9V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.35V @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD1101APAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 10µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD212908APAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®, Zero Threshold™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80mA
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 20mV @ 10µA
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD1115PAL
    MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: N and P-Channel Complementary
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD110904PAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12mA, 3mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.4V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 420mV @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100