• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 125
  • ALD111910PAL
    MOSFET 2N-CH 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD212900ASAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®, Zero Threshold™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 10mV @ 20µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD1101BSAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 40mA
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD310700SCL
    MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®, Zero Threshold™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Тип канала: 4 P-Channel, Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 8V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 20mV @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD110908PAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12mA, 3mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 820mV @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD1117PAL
    MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD212908PAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®, Zero Threshold™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80mA
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 20mV @ 10µA
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD110800ASCL
    MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®, Zero Threshold™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Тип канала: 4 N-Channel, Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 10mV @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD110814PCL
    MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 16-PDIP
    • Тип канала: 4 N-Channel, Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12mA, 3mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.4V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.42V @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD1110ESAL
    MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.01V @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 600mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD210804SCL
    MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®, Zero Threshold™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Тип канала: 4 N-Channel, Matched Pair
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80mA
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 20mV @ 10µA
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD1116SAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD1101BPAL
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 10µA
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD1107SBL
    MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 14-SOIC
    • Тип канала: 4 P-Channel, Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD1105PBL
    MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 14-PDIP
    • Тип канала: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100