• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
Найдено: 125
  • MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: N and P-Channel Complementary
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®, Zero Threshold™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Тип канала: 4 P-Channel, Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 8V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 380mV @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-PDIP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12mA, 3mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.4V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 420mV @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Серия: EPAD®, Zero Threshold™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80mA
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 20mV @ 10µA
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: