• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
  • MJW18020G
    TRANS NPN 450V 30A TO247-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
    • Усиление по току (hFE): 14 @ 3A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4A, 20A
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Граничная частота: 13MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV2N918UB
    TRANS NPN 15V 0.05A UB
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/301
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: UB
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 3mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DSC9001S0L
    TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: SSMini3-F3-B
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 290 @ 2mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Граничная частота: 150MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANSR2N5153U3/TR
    RH POWER BJT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N3636L
    TRANS PNP 175V 1A
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-5
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 175V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BCP5510TA
    TRANS NPN 60V 1A SOT223
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BC636-16ZL1
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMBTA06-AQ
    TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N2222AUATXV
    TRANS NPN 50V 0.8A 4CLCC
    TT Electronics/Optek Technology
    • Производитель: TT Electronics/Optek Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 4-CLCC
    • Тип корпуса: 4-CLCC (5.59x3.81)
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 75 @ 1mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NST3946DP6T5G
    TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SOT-963
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Тип транзистора: NPN, PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
    • Граничная частота: 200MHz, 250MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TE02561
    BIP T0220 NPN SPECIAL LF
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ST13003-K
    TRANS NPN 400V 1.5A SOT32-3
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: SOT-32-3
    • Мощность - Макс.: 40W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 5 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BDW93
    TRANS NPN DARL 45V 12A TO220-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 80W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZXT13P20DE6TC
    TRANS PNP 20V 4A SOT26
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6
    • Тип корпуса: SOT-26
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 4A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 350mA, 3.5A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 90MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC3568(2)-S6-AZ
    POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.