- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: PG-SOT23
- Мощность - Макс.: 330mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 220 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-89, SOT-490
- Тип корпуса: SSMini3-F3-B
- Мощность - Макс.: 125mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: MCP
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 2mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 420 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 20mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 7mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 500MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100
Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.
Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.
Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.
Справочная информация по основным параметрам:
Power - Max (Мощность - Макс.) —
Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) —
ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) —
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) —
Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) —
Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) —
Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) —
V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) —
h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.