• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
  • 2N2907
    TRANS PNP 40V 0.6A TO18
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 600mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BD533
    TRANS NPN 45V 8A TO220
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Мощность - Макс.: 50W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 8A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 25 @ 2A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BF422RL1G
    TRANS NPN 250V 0.05A TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
    • Мощность - Макс.: 830mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 25mA, 20V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PBSS5260QA147
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SB1165S
    POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SD1843-T-AZ
    NPN DARLINGTON TRANSISTOR
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC3416E
    POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SA1319S-AA
    2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N3762U4
    POWER BJT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FJPF1943RTU
    TRANS PNP 230V 15A TO220F-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F-3
    • Мощность - Макс.: 50W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 15A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
    • Усиление по току (hFE): 55 @ 1A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
    • Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
    • Граничная частота: 30MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FJPF13009H2TU
    TRANS NPN 400V 12A TO220F-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F-3
    • Мощность - Макс.: 50W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 8 @ 5A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • LSMBT1005LT1
    MINIBLOC TRANSISTOR
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV2N4150S
    TRANS NPN 70V 10A TO39
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANSL2N5002
    TRANS NPN 80V 50UA TO59
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/534
    • Вид монтажа: Stud Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
    • Тип корпуса: TO-59
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 2.5A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
    • Обратный ток коллектора: 50µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CE2A3Q-T-AZ
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.