• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Серия
FJPF1943RTU TRANS PNP 230V 15A TO220F-3 Fairchild Semiconductor TO-220-3 Full Pack 15A 230V 50W Through Hole PNP -50°C ~ 150°C (TJ) TO-220F-3 3V @ 800mA, 8A 5µA (ICBO) 55 @ 1A, 5V 30MHz
FJPF13009H2TU TRANS NPN 400V 12A TO220F-3 Fairchild Semiconductor TO-220-3 Full Pack 12A 400V 50W Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-220F-3 3V @ 3A, 12A 8 @ 5A, 5V 4MHz
JANTXV2N4150S TRANS NPN 70V 10A TO39 Microchip Technology TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 10A 70V 1W Through Hole NPN -65°C ~ 200°C (TJ) TO-39 (TO-205AD) 2.5V @ 1A, 10A 10µA 40 @ 5A, 5V Military, MIL-PRF-19500/394
2N3762U4 POWER BJT Microchip Technology
JANSL2N5002 TRANS NPN 80V 50UA TO59 Microchip Technology TO-210AA, TO-59-4, Stud 50 µA 80V 2W Stud Mount NPN -65°C ~ 200°C (TJ) TO-59 1.5V @ 500mA, 5A 50µA 30 @ 2.5A, 5V Military, MIL-PRF-19500/534
PBSS5260QA147 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.
2N2907 TRANS PNP 40V 0.6A TO18 onsemi TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 600mA 40V 400mW Through Hole PNP TO-18 1.6V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V
LSMBT1005LT1 MINIBLOC TRANSISTOR onsemi
BF422RL1G TRANS NPN 250V 0.05A TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 50mA 250V 830mW Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92 (TO-226) 500mV @ 2mA, 20mA 50 @ 25mA, 20V 60MHz
2SA1319S-AA 2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S onsemi
2SD1843-T-AZ NPN DARLINGTON TRANSISTOR Renesas Electronics America Inc
2SB1165S POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP Rochester Electronics, LLC
CE2A3Q-T-AZ SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC
2SC3416E POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Rochester Electronics, LLC
BD533 TRANS NPN 45V 8A TO220 STMicroelectronics TO-220-3 8A 45V 50W Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-220 800mV @ 600mA, 6A 100µA 25 @ 2A, 2V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.