• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Серия
FCX705TA TRANS PNP DARL 120V 1A SOT89-3 Diodes Incorporated TO-243AA 1A 120V 1W Surface Mount PNP - Darlington -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-89-3 2.5V @ 2mA, 2A 10µA 3000 @ 1A, 5V 160MHz
ZTX953STZ TRANS PNP 100V 3.5A E-LINE Diodes Incorporated E-Line-3, Formed Leads 3.5A 100V 1.2W Through Hole PNP -55°C ~ 200°C (TJ) E-Line (TO-92 compatible) 330mV @ 400mA, 4A 50nA (ICBO) 100 @ 1A, 1V 125MHz
JANTXV2N3506U4 TRANS NPN 40V 1UA U4 Microchip Technology 3-SMD, No Lead 1 µA 40V 1W Surface Mount NPN -65°C ~ 200°C (TJ) U4 1.5V @ 250mA, 2.5A 1µA 50 @ 500mA, 1V Military, MIL-PRF-19500/349
2N1479 TRANS NPN 40V 1.5A TO5 Microchip Technology TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 1.5A 40V 1W Through Hole NPN -65°C ~ 200°C (TJ) TO-5 750mV @ 20mA, 200mA 5µA (ICBO) 20 @ 200mA, 4V
2N4854U/TR TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT Microchip Technology 6-SMD, No Lead Surface Mount NPN, PNP -65°C ~ 200°C (TJ) 6-SMD 400mV @ 15mA, 150mA 10µA (ICBO) 100 @ 150mA, 10V Military, MIL-PRF-19500/421
JANTXV2N3442 TRANS NPN 140V 10A TO3 Microchip Technology TO-204AA, TO-3 10A 140V 6W Through Hole NPN -55°C ~ 200°C (TJ) TO-3 (TO-204AA) 1V @ 300mA, 3A 20 @ 3A, 4V Military, MIL-PRF-19500/370
BCP69-25-TP TRANS PNP 20V 1A SOT223 Micro Commercial Co TO-261-4, TO-261AA 1A 20V 1W Surface Mount PNP 150°C (TJ) SOT-223 500mV @ 100mA, 1A 100nA (ICBO) 140 @ 10mA, 1.8V 40MHz
PEMD2,315 NEXPERIA PEMD2 - SMALL SIGNAL BI Nexperia USA Inc.
PBSS8110AS,126 TRANS NPN 100V 1A TO92-3 NXP USA Inc. TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 1A 100V 830mW Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-92-3 200mV @ 100mA, 1A 100nA 150 @ 250mA, 10V 100MHz
BC184_J35Z TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 100mA 30V 350mW Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 600mV @ 5mA, 100mA 15nA (ICBO) 130 @ 100mA, 5V 150MHz
2SC3330T-AC BIP NPN 0.2A 50V onsemi
MPSA77RLRA TRANS PNP DARL 60V 0.5A TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 500mA 60V 625mW Through Hole PNP - Darlington -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92 (TO-226) 1.5V @ 100µA, 100mA 500nA 10000 @ 100mA, 5V
2SD2620J0L TRANS NPN 100V 0.02A SSMINI3 Panasonic Electronic Components SC-89, SOT-490 20mA 100V 125mW Surface Mount NPN 125°C (TJ) SSMini3-F1 200mV @ 1mA, 10mA 1µA 400 @ 2mA, 10V 200MHz
2SD1692-AZ POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Rochester Electronics, LLC
PN2222AG SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 600mA 40V 625mW Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 1V @ 50mA, 500mA 10nA (ICBO) 100 @ 150mA, 10V 300MHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.