• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Серия
BD645-S TRANS NPN DARL 60V 8A TO220 Bourns Inc. TO-220-3 8A 60V 2W Through Hole NPN - Darlington -65°C ~ 150°C (TJ) TO-220 2.5V @ 50mA, 5A 500µA 750 @ 3A, 3V
JANTX2N6989 TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 Microchip Technology 14-DIP (0.300", 7.62mm) 800mA 50V 1.5W Through Hole 4 NPN (Quad) -65°C ~ 200°C (TJ) TO-116 1V @ 50mA, 500mA 10µA (ICBO) 100 @ 150mA, 10V Military, MIL-PRF-19500/559
JANTXV2N3501U4/TR SMALL-SIGNAL BJT Microchip Technology
2N4036L SMALL-SIGNAL BJT Microchip Technology
2N3490 POWER BJT Microchip Technology
KTC3199-BL-AP TRANS NPN 50V 0.15A TO92S Micro Commercial Co TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) 150mA 50V 400mW Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92S 250mV @ 10mA, 100mA 100nA (ICBO) 300 @ 2mA, 6V 80MHz
2N3501 TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 Microsemi Corporation TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 300mA 150V 1W Through Hole NPN -65°C ~ 200°C (TJ) TO-39 (TO-205AD) 400mV @ 15mA, 150mA 10µA (ICBO) 100 @ 150mA, 10V
PBSS303ND,115 TRANS NPN 60V 1A 6TSOP Nexperia USA Inc. SC-74, SOT-457 1A 60V 1.1W Surface Mount NPN 150°C (TJ) 6-TSOP 515mV @ 600mA, 6A 100nA 345 @ 500mA, 2V 140MHz
MJ15025G TRANS PNP 250V 16A TO204 onsemi TO-204AA, TO-3 16A 250V 250W Through Hole PNP -65°C ~ 200°C (TJ) TO-204 (TO-3) 4V @ 3.2A, 16A 500µA 15 @ 8A, 4V 4MHz
KSD1616GBU TRANS NPN 50V 1A TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1A 50V 750mW Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-92-3 300mV @ 50mA, 1A 100nA (ICBO) 200 @ 100mA, 2V 160MHz
KSD261CYBU TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 500mA 20V 500mW Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-92-3 400mV @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 120 @ 100mA, 1V
BC558CRL1 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR onsemi
KST64MTF TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3 onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500mA 30V 350mW Surface Mount PNP - Darlington SOT-23-3 1.5V @ 100µA, 100mA 100nA (ICBO) 20000 @ 100mA, 5V 125MHz
MPS5172G TRANS NPN 25V 0.1A TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 Long Body 100mA 25V 625mW Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92 (TO-226) 250mV @ 1mA, 10mA 100nA 100 @ 10mA, 10V
BCX68-16E6327 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.