• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
  • PN2222ARLRA
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NJVTIP32BG
    BIP T0220 PNP 3A 80V
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N918UB
    TRANS NPN 15V 0.05A UB
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: UB
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 3mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MJE270G
    TRANS NPN DARL 100V 2A TO126
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 1500 @ 120mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Граничная частота: 6MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BC32725_J35Z
    TRANS PNP 45V 0.8A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SB1205T-TL-EX
    BIP PNP 5A 20V
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PBSS4240ZF
    TRANS NPN 40V 2A SOT223
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Мощность - Макс.: 650mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 550mV @ 200mA, 2A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 150MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN2N2432A
    TRANS NPN 45V 0.1A
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/313
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18 (TO-206AA)
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 10nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N5551ZL1
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 600mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FJP3305H1TU
    TRANS NPN 400V 4A TO220-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 4A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 8 @ 2A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BUV298V
    TRANS NPN 450V 50A ISOTOP
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: ISOTOP
    • Тип корпуса: ISOTOP®
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
    • Усиление по току (hFE): 12 @ 32A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 6.4A, 32A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5707-TL-E
    TRANS NPN 50V 8A TPFA
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TP-FA
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 8A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 330MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BC859B
    TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 220 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BC447
    TRANS NPN 80V 0.3A TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
    • Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 300mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC4518A
    TRANS NPN 550V 5A TO220F
    Sanken
    • Производитель: Sanken
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Мощность - Макс.: 35W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 550V
    • Усиление по току (hFE): 10 @ 1.8A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 360mA, 1.8A
    • Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
    • Граничная частота: 6MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.