Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 12A Pmax 80W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 3A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: WeEn Semiconductors
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: WeEn Semiconductors
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100