Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1 µA Pmax 800mW

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 9
  • JANSR2N2905A
    TRANS PNP 60V 1UA TO39
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/290
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANS2N2904
    TRANS PNP 60V 1UA TO39
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/290
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANS2N2904AL
    TRANS PNP 60V 1UA TO5
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/290
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-5
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANS2N2905AL
    TRANS PNP 60V 1UA TO5
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/290
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-5
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANS2N2904A
    TRANS PNP 60V 1UA TO39
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/290
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV2N2905
    TRANS PNP 60V 1UA TO39
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/290
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N2905
    TRANS PNP 60V 1UA TO39
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANS2N2905
    TRANS PNP 60V 1UA TO39
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/290
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N2905AE3
    TRANS PNP 60V 1UA TO39
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100