Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 10W | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 88

2SB1181TLR

TRANS PNP 80V 1A CPT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: CPT3
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SC5001TLR

TRANS NPN 20V 10A CPT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: CPT3
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SCR543DTL

TRANS NPN 50V 4A CPT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: CPT3
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SA1869-Y,MTSAQ(J

TRANS PNP 50V 3A TO220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220NIS
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TSB772CK C0G

TRANS PNP 30V 3A TO126

Taiwan Semiconductor Corporation
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
KSA1242YTU

TRANS PNP 20V 5A IPAK

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: I-PAK
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 180MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SCR572D3FRATL

TRANS NPN 30V 5A TO252

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SCR586D3TL1

TRANS NPN 80V 5A TO252

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 500mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TTA004B,Q

TRANS PNP 160V 1.5A TO126N

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126N
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SAR574D3FRATL

TRANS PNP 80V 2A TO252

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Мощность - Макс.: 10W
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2DB1182Q-13

TRANS PNP 32V 2A TO252-3

Diodes Incorporated
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252-3
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 32V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 500mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 110MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SB1182TLR

TRANS PNP 32V 2A CPT3

Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: CPT3
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 32V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 500mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SA0963

TRANS PNP 40V 1.5A TO126A-A1

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126A-A1
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: