- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126N
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: U-G2
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: CPT3
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: I-PAK
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 180MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: U-G2
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 200mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: CPT3
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 32V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 500mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: CPT3
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: CPT3
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 32V
- Усиление по току (hFE): 82 @ 500mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 280MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 280MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: CPT3
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: I-PAK
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 180MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 900V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 4mA, 20mA
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100