Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 100W | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 104

BUT12TU

TRANS NPN 400V 8A TO220-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 6A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
FJA4210OTU

TRANS PNP 140V 10A TO3P

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 3A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BUT11ATU-ON

TRANS NPN 450V 5A TO220-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2STW4468

TRANS NPN 140V 10A TO247-3

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 3A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 20MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
JAN2N7371

TRANS PNP DARL 100V 0.001A TO254

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/623
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
- Тип корпуса: TO-254
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BUJ303A,127

TRANS NPN 500V 5A TO220AB

WeEn Semiconductors
- Производитель: WeEn Semiconductors
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
- Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
FJP5321TU

TRANS NPN 500V 5A TO220-3

Fairchild Semiconductor
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 600mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 14MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BUL146G

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Серия: SWITCHMODE™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 6A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 14MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SA1186

TRANS PNP 150V 10A TO3P

Sanken
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 3A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
KSC5047TU

TRANS NPN 50V 15A TO3PN

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3PN
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 120mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BUT12A

TRANS NPN 450V 8A TO220-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 6A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
STD01N

TRANS NPN DARL 150V 10A TO3P-5L

Sanken
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-5
- Тип корпуса: TO-3P-5L
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 5000 @ 6A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 6mA, 6A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BUT11TU

TRANS NPN 400V 5A TO220-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
JANTXV2N7371

TRANS PNP DARL 100V 12A TO254AA

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/623
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
- Тип корпуса: TO-254AA
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SD2390

TRANS NPN DARL 150V 10A TO3P

Sanken
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 5000 @ 7A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 55MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: