• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 6A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 8 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
• Граничная частота: 4MHz

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 4A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
• Усиление по току (hFE): 2000 @ 2A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 2A
• Обратный ток коллектора: 100µA

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220AB
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
• Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 330mA, 2.5A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: Harris Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220AB
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 4A, 8A
• Обратный ток коллектора: 100µA
• Граничная частота: 60MHz

• Производитель: Bourns Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: SOT-93
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 4A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 500mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A
• Обратный ток коллектора: 50µA
• Граничная частота: 12MHz

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-3
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 4A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
• Обратный ток коллектора: 500µA
• Граничная частота: 4MHz

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 9A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 5A

• Производитель: onsemi
• Серия: ESBC™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 2A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 400mA, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 330mA, 1A
• Обратный ток коллектора: 100µA
• Граничная частота: 5MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/624
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
• Тип корпуса: TO-254AA
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
• Тип корпуса: TO-3PN
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 1.2A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A
• Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
• Граничная частота: 18MHz

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 1A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 5A
• Обратный ток коллектора: 250µA

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/624
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
• Тип корпуса: TO-254AA
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220F-3
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A
• Обратный ток коллектора: 1mA