- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: WeEn Semiconductors
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 6A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 550V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 12 @ 1.5A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 500µA
- Граничная частота: 28MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: ESBC™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 400mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 330mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 4A, 8A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 400mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200µA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Серия: SWITCHMODE™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 6A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Усиление по току (hFE): 6 @ 3A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 14MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3PN
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 120mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 400mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200µA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: WeEn Semiconductors
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 23 @ 800mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 3A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 20MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 6A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Серия: SWITCHMODE™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -60°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 1.5A, 7A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 23MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Серия: SWITCHMODE™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 6A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Усиление по току (hFE): 6 @ 3A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 14MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100