Найдено: 67
-
TRANS PNP 25V 5A DPAK
onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: D-Pak
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 45 @ 2A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 65MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS PNP 25V 5A DPAK
Fairchild Semiconductor
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: D-Pak
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 45 @ 2A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 65MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 30V 3A SOT89-3
STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS PNP 100V 4A IPAK
onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: I-PAK
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 200mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 40MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS PNP 100V 4A DPAK
onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 200mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 40MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 25V 5A DPAK
onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 45 @ 2A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 65MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 20V 1A SOT223
Nexperia USA Inc.
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 85 @ 500mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 170MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием: