- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 120MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 85MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 20nA
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 85MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 330mV @ 400mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 160MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 85 @ 500mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 65MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126B-A1
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 85 @ 500mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 170MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 180V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 30mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
- Обратный ток коллектора: 20nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 2A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 130MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 20mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 20nA (ICBO)
- Граничная частота: 70MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 200nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 10000 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100