- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: SC-100, SOT-669
- Тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 150 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 110MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 140mV @ 450mA, 4.5A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 185MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: D-Pak
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 3A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 50µA
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: D-Pak
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
- Тип корпуса: LFPAK56D
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: SC-100, SOT-669
- Тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 2A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 63 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 180MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: TO-251
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 500µA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: SOT-32-3
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 2V, 150MA
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100