- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 465V
- Усиление по току (hFE): 13 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-26
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A, 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V, 12V
- Усиление по току (hFE): 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 180MHz, 220MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: 6-TSOP
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 1.35A, 1.1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A / 530mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-23-6
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 2A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 3.5A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-8 Thin, TSOT-23-8
- Тип корпуса: 6-CPH
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 420MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 20nA (ICBO)
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-23-6
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-26
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 2.5A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 180MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 9 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 20nA (ICBO)
- Граничная частота: 160MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-26
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 200mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-26
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 215MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-26
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 240mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 115MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100