- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-26
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 230mV @ 100mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 115MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: 3-CPH
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 210mV @ 100mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 380MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: 6-CPH
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 420MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Усиление по току (hFE): 5 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-23-6
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 130mV @ 350mA, 3.5A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 110MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-26
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 4A, 3.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 215MHz, 290MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 50nA
- Граничная частота: 198MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-26
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A, 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V, 12V
- Усиление по току (hFE): 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 180MHz, 220MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-23-6
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 230mV @ 45mA, 4.5A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 96MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-23-6
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 175mV @ 400mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 55MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-23-6
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 190MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Мощность - Макс.: 1.1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 305mV @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 185MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100