- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 40W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 300mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 10MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Bourns Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 1A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 300µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/368
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, No Lead
- Тип корпуса: UA
- Мощность - Макс.: 800mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 20mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 2µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/580
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 250mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 10000 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.1V @ 250µA, 250mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: TP
- Мощность - Макс.: 800mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 120MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 800mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: SuperSOT™-6
- Мощность - Макс.: 700mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 750mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 150mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanyo
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-71
- Тип корпуса: 3-NMP
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 40mA, 400mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 120MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: PG-SOT89
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, No Lead
- Тип корпуса: 3-SMD
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100