- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/407
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-3
- Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 6A, 3V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 83W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/407
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-3
- Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220ML
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 330mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 195MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 230W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 35MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247
- Мощность - Макс.: 150W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 260V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Bourns Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 3.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 10A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 85W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 2mA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 55W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 5A, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 250mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-5
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 260V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 230W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 35MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P(N)
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-5
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 230W
- Тип транзистора: NPN + Diode (Isolated)
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 35MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100