- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/623
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
- Тип корпуса: TO-254
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F
- Мощность - Макс.: 35W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 6A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 40MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/624
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
- Тип корпуса: TO-254AA
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/502
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 150W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/501
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-3
- Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
- Мощность - Макс.: 150W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/501
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-3
- Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
- Мощность - Макс.: 150W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-3PF
- Мощность - Макс.: 60W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 750V
- Усиление по току (hFE): 5 @ 8A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 100W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 20MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Bourns Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 3.5W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 2mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: ISOWATT218FX
- Тип корпуса: ISOWATT-218FX
- Мощность - Макс.: 62W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 750V
- Усиление по току (hFE): 6.5 @ 6A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 1.5A, 6A
- Обратный ток коллектора: 200µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 85W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 800mA, 8A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 18 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 2.4A, 12A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100