Найдено: 560
  • TRANS NPN 120V 10A TO39
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 60V 10A TO220
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
    • Обратный ток коллектора: 700µA
    • Граничная частота: 2MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP DARL 80V 10A TO204AA
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/527
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
    • Мощность - Макс.: 5W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100µA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 30V 10A TO252
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252
    • Мощность - Макс.: 10W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 1A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 4A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 230MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 80V 10A TO59
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/374
    • Вид монтажа: Stud Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
    • Тип корпуса: TO-59
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 80V 10A D2PAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 4A, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    • Граничная частота: 40MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 80V 10A TO220-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 1.67W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 2A, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    • Граничная частота: 40MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • T-NPN SI- PWR AMP
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 80W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 3A, 4V
    • Граничная частота: 3MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: SOT-93
    • Мощность - Макс.: 3.5W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 3A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A
    • Обратный ток коллектора: 700µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 20V 10A CPT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: CPT3
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 180 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 150MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN DARL 80V 10A TO220-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 70W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
    • Обратный ток коллектора: 500µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 80V 10A TO220
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 4A, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    • Граничная частота: 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 80V 10A TO220
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Мощность - Макс.: 90W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 15 @ 4A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
    • Обратный ток коллектора: 1mA (ICBO)
    • Граничная частота: 1.5MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NEXPERIA PHPT60410PY - 40V, 10A
    NXP Semiconductors
    • Производитель: NXP Semiconductors
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: SC-100, SOT-669
    • Тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8
    • Мощность - Макс.: 1.3W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 240 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 97MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 140V 10A TO3P
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 3A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    • Граничная частота: 30MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: