Найдено: 560
  • TRANS PNP DARL 100V 10A TO220-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 80W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 2mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 140V 10A TO3
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-3
    • Мощность - Макс.: 117W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 3A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A
    • Обратный ток коллектора: 200mA
    • Граничная частота: 80kHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 200V 10A TO254AA
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/510
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
    • Тип корпуса: TO-254AA
    • Мощность - Макс.: 6W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
    • Усиление по току (hFE): 10 @ 10A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 400V 10A TO3
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-3
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 15 @ 3A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 6A
    • Обратный ток коллектора: 1.5mA
    • Граничная частота: 8MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 600V 10A ISOWATT-218FX
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: ISOWATT218FX
    • Тип корпуса: ISOWATT-218FX
    • Мощность - Макс.: 63W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Усиление по току (hFE): 5 @ 6A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 5A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 140V 10A TO204
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
    • Мощность - Макс.: 117W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 3A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A
    • Обратный ток коллектора: 200mA
    • Граничная частота: 80MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN DARL 80V 10A TO3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/523
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
    • Мощность - Макс.: 6W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: SOT-93
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
    • Усиление по току (hFE): 500 @ 5A, 4.6V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Граничная частота: 2MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 60V 10A LFPAK56 PWRSO8
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: SC-100, SOT-669
    • Тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 470mV @ 1A, 10A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 85MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP DARL 60V 10A TO220
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP DARL 60V 10A TO220-3
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 70W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 7.5A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
    • Обратный ток коллектора: 200µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 80V 10A TO3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/379
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-3
    • Мощность - Макс.: 5W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 60V 10A DPAK
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Мощность - Макс.: 1.75W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
    • Обратный ток коллектора: 50µA
    • Граничная частота: 2MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN DARL 80V 10A TO247-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 2mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP DARL 80V 10A TO220-3
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 70W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 7.5A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A
    • Обратный ток коллектора: 200µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: