- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 85W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 90V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 12A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 2mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 150W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 500 @ 5A, 4.6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 2MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Motorola
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 118 W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 3A, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-3PF
- Мощность - Макс.: 60W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 750V
- Усиление по току (hFE): 5 @ 6A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 75W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
- Граничная частота: 2MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-3PF
- Мощность - Макс.: 60W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 750V
- Усиление по току (hFE): 5 @ 6A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F-A1
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 130 @ 3A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 330mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 50µA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 600mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
- Граничная частота: 2MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 150W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: D-Pak
- Мощность - Макс.: 1.75W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 50µA
- Граничная частота: 2MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100