• Производитель: General Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-5
• Мощность - Макс.: 15W
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 50 @ 5A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
• Граничная частота: 30MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/370
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
• Мощность - Макс.: 6W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 3A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
• Обратный ток коллектора: 10µA

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: DPAK
• Мощность - Макс.: 20W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
• Обратный ток коллектора: 50µA
• Граничная частота: 2MHz

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 80W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 3A, 4V
• Граничная частота: 3MHz

• Производитель: Bourns Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 2W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 4A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 4A
• Обратный ток коллектора: 500µA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 1.67W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 60 @ 2A, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
• Обратный ток коллектора: 10µA
• Граничная частота: 40MHz

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/523
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
• Мощность - Макс.: 6W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: Harris Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 1.67W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 10µA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 70W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
• Обратный ток коллектора: 500µA

• Производитель: NTE Electronics, Inc
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 80W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 3A, 4V
• Граничная частота: 3MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 2W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 2W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Мощность - Макс.: 80W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 3A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A
• Обратный ток коллектора: 700µA
• Граничная частота: 3MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 2W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA