- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: U-G2
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: TP
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 120MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 200nA
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 120MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 4000 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 80mA, 800mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 190MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 200nA
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223-4
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F-3
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 260mV @ 200mA, 1.5A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TP-FA
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 120MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Серия: U-MOSVII
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: VS-6 (2.9x2.8)
- Мощность - Макс.: 1.6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 400 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-226-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 250mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: TSMT6 (SC-95)
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 200mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 400MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100