• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6217
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
Серия
DDA124EU-7-F TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363 Diodes Incorporated 100mA 50V 200mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) SOT-363 22kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22kOhms 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
DDTD122LU-7-F TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Diodes Incorporated 500mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SOT-323 220Ohms 300mV @ 2.5mA, 50mA 500nA 56 @ 50mA, 5V 200MHz 10kOhms SC-70, SOT-323
DDTA144TE-7-F TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 Diodes Incorporated
DDTC122LU-7 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Diodes Incorporated
FJN4310RBU SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Fairchild Semiconductor 100mA 40V 300mW Through Hole PNP - Pre-Biased TO-92-3 10kOhms 300mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 100 @ 1mA, 5V 200MHz TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
PDTA144TU,115 TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Nexperia USA Inc. 100mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SOT-323 47kOhms 150mV @ 500µA, 10mA 1µA 100 @ 1mA, 5V SC-70, SOT-323
PEMB13,115 TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666 Nexperia USA Inc. 100mA 50V 300mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) SOT-666 4.7kOhms 100mV @ 250µA, 5mA 1µA 100 @ 10mA, 5V 47kOhms SOT-563, SOT-666
PUMH9,135 TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP Nexperia USA Inc. 100mA 50V 300mW Surface Mount 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 6-TSSOP 10kOhms 100mV @ 250µA, 5mA 1µA 100 @ 5mA, 5V 47kOhms 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
DRA5143X0L TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 150mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SMini3-F2-B 4.7kOhms 250mV @ 500µA, 10mA 500nA 30 @ 5mA, 10V 10kOhms SC-85
DMC964030R TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 125mW Surface Mount 2 NPN - Pre-Biased (Dual) SSMini6-F3-B 47kOhms 250mV @ 500µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 47kOhms SOT-563, SOT-666
DRA9114E0L TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 125mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SSMini3-F3-B 10kOhms 250mV @ 500µA, 10mA 500nA 35 @ 5mA, 10V 10kOhms SC-89, SOT-490
DRA9114Y0L TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 125mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SSMini3-F3-B 10kOhms 250mV @ 500µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 47kOhms SC-89, SOT-490
BCR129SH6327XTSA1 BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC 100mA 50V 250mW Surface Mount 2 NPN - Pre-Biased (Dual) PG-SOT363-6 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 120 @ 5mA, 5V 150MHz 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
DTC125TUAT106 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Rohm Semiconductor 100mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased UMT3 200 kOhms 300mV @ 50µA, 500µA 500nA (ICBO) 100 @ 1mA, 5V 250MHz SC-70, SOT-323
DTC143TETL TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 Rohm Semiconductor 100mA 50V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased EMT3 4.7kOhms 150mV @ 250µA, 5mA 500nA (ICBO) 100 @ 1mA, 5V 250MHz SC-75, SOT-416
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярные транзисторы с предварительно заданным током смещения (BRT) - это транзиcтор на одном кристалле с которым расположены резисторы смещения, обеспечивающие оптимальный режим переключения. Такая компоновка обеспечивает минимальную стоимость узлов, созданных с применением таких транзисторов.

Электрические характеристики BRT зависят от значений используемых внутренних резисторов. Необходимо выбрать оптимальные BRT, и в данном разделе добавлены два дополнительных поля для подбора компонентов: R1 - резистор базы и R2 - резистор эмиттер-база.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.