• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6217
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
Серия
DDTC143EE-7-F TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Diodes Incorporated 100mA 50V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SOT-523 4.7kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 20 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kOhms SOT-523
DDTC144TUA-7-F TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Diodes Incorporated 100mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SOT-323 47kOhms 300mV @ 250µA, 2.5mA 500nA (ICBO) 100 @ 1mA, 5V 250MHz SC-70, SOT-323
DDTC144WUA-7 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Diodes Incorporated
ADTC143ECAQ-7 PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 3K Diodes Incorporated 100mA 50V 310mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SOT-23-3 4.7kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 20 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Automotive, AEC-Q101
DDTC143TUA-7-F TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Diodes Incorporated 100mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SOT-323 4.7kOhms 300mV @ 250µA, 2.5mA 500nA (ICBO) 100 @ 1mA, 5V 250MHz SC-70, SOT-323
BCR 108L3 E6327 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Infineon Technologies 100mA 50V 250mW Surface Mount NPN - Pre-Biased PG-TSLP-3-4 2.2kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 5mA, 5V 170MHz 47kOhms SC-101, SOT-883
BCR 151T E6327 TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 Infineon Technologies 50mA 50V 250mW Surface Mount PNP - Pre-Biased PG-SC-75 100kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 70 @ 5mA, 5V 120MHz 100kOhms SC-75, SOT-416
DMA264030R TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 300mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mini6-G4-B 47kOhms 250mV @ 500µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 47kOhms SOT-23-6
MUN2211T1 TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 Rochester Electronics, LLC 100mA 50V 338mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SC-59 10kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 35 @ 5mA, 10V 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMA5NTR TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 Rohm Semiconductor 100mA 50V 150mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) UMT5 2.2kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 500nA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kOhms 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
RN2103MFV,L3F(CT TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Toshiba Semiconductor and Storage 100mA 50V 150mW Surface Mount PNP - Pre-Biased VESM 22kOhms 300mV @ 500µA, 5mA 500nA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22kOhms SOT-723
RN1114MFV,L3F TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Toshiba Semiconductor and Storage 100mA 50V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased VESM 1kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 500nA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kOhms SOT-723
RN2108CT(TPL3) TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3 Toshiba Semiconductor and Storage 50mA 20V 50mW Surface Mount PNP - Pre-Biased CST3 22kOhms 150mV @ 250µA, 5mA 500nA 120 @ 10mA, 5V 47kOhms SC-101, SOT-883
RN1131MFV(TL3,T) TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Toshiba Semiconductor and Storage 100mA 50V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased VESM 100kOhms 300mV @ 500µA, 5mA 100nA (ICBO) 120 @ 1mA, 5V SOT-723
RN2967(TE85L,F) TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Toshiba Semiconductor and Storage 100mA 50V 200mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) US6 10kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kOhms 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярные транзисторы с предварительно заданным током смещения (BRT) - это транзиcтор на одном кристалле с которым расположены резисторы смещения, обеспечивающие оптимальный режим переключения. Такая компоновка обеспечивает минимальную стоимость узлов, созданных с применением таких транзисторов.

Электрические характеристики BRT зависят от значений используемых внутренних резисторов. Необходимо выбрать оптимальные BRT, и в данном разделе добавлены два дополнительных поля для подбора компонентов: R1 - резистор базы и R2 - резистор эмиттер-база.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.