• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6217
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
Серия
DDTC123TUA-7-F TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Diodes Incorporated 100mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SOT-323 2.2kOhms 300mV @ 500µA, 5mA 500nA (ICBO) 100 @ 1mA, 5V 250MHz SC-70, SOT-323
DDTD114GC-7-F TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Diodes Incorporated 500mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SOT-23-3 300mV @ 2.5mA, 50mA 500nA (ICBO) 56 @ 50mA, 5V 200MHz 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FJV4102RMTF 0.1A, 50V, PNP Fairchild Semiconductor 100mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SOT-23-3 (TO-236) 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 30 @ 5mA, 5V 200MHz 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCR148SH6433XTMA1 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Infineon Technologies 100mA 50V 250mW Surface Mount 2 NPN - Pre-Biased (Dual) PG-SOT363-PO 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 70 @ 5mA, 5V 100MHz 47kOhms 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PDTD114EUF TRANS PREBIAS NPN 0.425W Nexperia USA Inc. 500mA 50V 300mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SOT-323 10kOhms 100mV @ 2.5mA, 50mA 500nA 70 @ 50mA, 5V 225MHz 10kOhms SC-70, SOT-323
PDTA124XU,115 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Nexperia USA Inc. 100mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SOT-323 22kOhms 150mV @ 500µA, 10mA 1µA 80 @ 5mA, 5V 47kOhms SC-70, SOT-323
PDTA144VU,115 TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Nexperia USA Inc. 100mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SOT-323 47kOhms 150mV @ 500µA, 10mA 1µA 40 @ 5mA, 5V 10kOhms SC-70, SOT-323
DTA114YET1 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 onsemi 100mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SC-75, SOT-416 10kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 47kOhms SC-75, SOT-416
NSBC143EDXV6T1 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 onsemi 100mA 50V 500mW Surface Mount 2 NPN - Pre-Biased (Dual) SOT-563 4.7kOhms 250mV @ 1mA, 10mA 500nA 15 @ 5mA, 10V 4.7kOhms SOT-563, SOT-666
DRC2144V0L TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased Mini3-G3-B 47kOhms 250mV @ 500µA, 10mA 500nA 30 @ 5mA, 10V 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DRC2114E0L TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased Mini3-G3-B 10kOhms 250mV @ 500µA, 10mA 500nA 35 @ 5mA, 10V 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTD713ZETL TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 Rohm Semiconductor 200mA 30V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased EMT3 1kOhms 300mV @ 2.5mA, 50mA 500nA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 10kOhms SC-75, SOT-416
DTB743EMT2L TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 Rohm Semiconductor 200mA 30V 150mW Surface Mount PNP - Pre-Biased VMT3 4.7kOhms 300mV @ 2.5mA, 50mA 500nA 115 @ 100mA, 2V 260MHz 4.7kOhms SOT-723
DTA143TMT2L TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 Rohm Semiconductor 100mA 50V 150mW Surface Mount PNP - Pre-Biased VMT3 4.7kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 500nA (ICBO) 100 @ 1mA, 5V 250MHz SOT-723
RN2706JE(TE85L,F) TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV Toshiba Semiconductor and Storage 100mA 50V 100mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) ESV 4.7kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kOhms SOT-553
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярные транзисторы с предварительно заданным током смещения (BRT) - это транзиcтор на одном кристалле с которым расположены резисторы смещения, обеспечивающие оптимальный режим переключения. Такая компоновка обеспечивает минимальную стоимость узлов, созданных с применением таких транзисторов.

Электрические характеристики BRT зависят от значений используемых внутренних резисторов. Необходимо выбрать оптимальные BRT, и в данном разделе добавлены два дополнительных поля для подбора компонентов: R1 - резистор базы и R2 - резистор эмиттер-база.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.