• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6217
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
Серия
DDTA114ECA-7-F TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Diodes Incorporated 100mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SOT-23-3 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DDTA144TUA-7-F TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Diodes Incorporated 100mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SOT-323 47kOhms 300mV @ 250µA, 2.5mA 500nA (ICBO) 100 @ 1mA, 5V 250MHz SC-70, SOT-323
DDTA122LU-7 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Diodes Incorporated
DDTC144ECAQ-7-F PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 3K Diodes Incorporated 100mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SOT-23-3 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 5V 250MHz 47kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Automotive, AEC-Q101
DDTC123JE-7-F TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Diodes Incorporated 100mA 50V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SOT-523 2.2kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 500nA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kOhms SOT-523
BCR112WE6327BTSA1 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Infineon Technologies 100mA 50V 250mW Surface Mount NPN - Pre-Biased PG-SOT323 4.7kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 20 @ 5mA, 5V 140MHz 4.7kOhms SC-70, SOT-323
MUN5113T3G TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 onsemi 100mA 50V 202mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SC-70-3 (SOT323) 47kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 47kOhms SC-70, SOT-323
NSB9435T1 TRANS PWR BRT PNP 30V 3A SOT223 onsemi 3A 30V 3W Surface Mount PNP - Pre-Biased SOT-223 (TO-261) 10kOhms 210mV @ 20mA, 800mA 125 @ 800mA, 1V 110MHz TO-261-4, TO-261AA
SMUN2211T3G TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59 onsemi 100mA 50V 230mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SC-59 10kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 35 @ 5mA, 10V 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Automotive, AEC-Q101
UNR31A9G0L TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3 Panasonic Electronic Components 80mA 50V 100mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SSSMini3-F2 1kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 30 @ 5mA, 10V 80MHz 10kOhms SOT-723
UNR211900L TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased Mini3-G1 1kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 30 @ 5mA, 10V 150MHz 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DRA9144W0L TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 125mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SSMini3-F3-B 47kOhms 250mV @ 500µA, 10mA 500nA 60 @ 5mA, 10V 22kOhms SC-89, SOT-490
BCR142E6327 BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC
DTC015EMT2L TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Rohm Semiconductor 20mA 50V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased VMT3 100kOhms 100mV @ 500µA, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 100kOhms SOT-723
RN2905FE,LXHF(CT AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Toshiba Semiconductor and Storage 100mA 50V 100mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) ES6 2.2kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 500nA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kOhms SOT-563, SOT-666 Automotive, AEC-Q101
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярные транзисторы с предварительно заданным током смещения (BRT) - это транзиcтор на одном кристалле с которым расположены резисторы смещения, обеспечивающие оптимальный режим переключения. Такая компоновка обеспечивает минимальную стоимость узлов, созданных с применением таких транзисторов.

Электрические характеристики BRT зависят от значений используемых внутренних резисторов. Необходимо выбрать оптимальные BRT, и в данном разделе добавлены два дополнительных поля для подбора компонентов: R1 - резистор базы и R2 - резистор эмиттер-база.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.