• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6217
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
Серия
DDTA113ZCA-7 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Diodes Incorporated 100mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SOT-23-3 1kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 33 @ 10mA, 5V 250MHz 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PDTC114EQCZ PDTC114EQC/SOT8009/DFN1412D-3 Nexperia USA Inc. 100mA 50V 360mW Surface Mount, Wettable Flank NPN - Pre-Biased DFN1412D-3 10kOhms 100mV @ 500µA, 10mA 100nA 30 @ 5mA, 5V 230MHz 10kOhms 3-XDFN Exposed Pad
PDTC114YQAZ PDTC143X/123J/143Z/114YQA SERIES Nexperia USA Inc.
PUMD20,115 TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP Nexperia USA Inc. 100mA 50V 300mW Surface Mount 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 6-TSSOP 2.2kOhms 150mV @ 500µA, 10mA 1µA 30 @ 20mA, 5V 2.2kOhms 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PEMB1,115 NOW NEXPERIA PEMB1 - SMALL SIGNA NXP USA Inc. 100mA 50V 300mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) SOT-666 22kOhms 150mV @ 500µA, 10mA 1µA 60 @ 5mA, 5V 22kOhms SOT-563, SOT-666
MUN5114DW1T1G TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 onsemi 100mA 50V 250mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) SC-88/SC70-6/SOT-363 10kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 47kOhms 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UNR31A500L TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3 Panasonic Electronic Components 80mA 50V 100mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SSSMini3-F1 10kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 160 @ 5mA, 10V 80MHz SOT-723
DMC964020R TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 125mW Surface Mount 2 NPN - Pre-Biased (Dual) SSMini6-F3-B 22kOhms 250mV @ 500µA, 10mA 500nA 60 @ 5mA, 10V 22kOhms SOT-563, SOT-666
DRC3144G0L TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 100mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SSSMini3-F2-B 250mV @ 500µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 47kOhms SOT-723
NSVB123JPDXV6T1G SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC 100mA 50V 500mW Surface Mount 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) SOT-563 2.2kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 4.7kOhms SOT-563, SOT-666
DTB113ECT116 PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST Rohm Semiconductor 500mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SST3 1kOhms 300mV @ 2.5mA, 50mA 500nA 33 @ 50mA, 5V 200MHz 1kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTA124TETL TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 Rohm Semiconductor 100mA 50V 150mW Surface Mount PNP - Pre-Biased EMT3 22kOhms 300mV @ 500µA, 5mA 500nA (ICBO) 100 @ 1mA, 5V 250MHz SC-75, SOT-416
DTC123JEBMGTL TRANS NPN 100MA 50V SC-89 Rohm Semiconductor 100mA 50V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased + Diode EMT3F (SOT-416FL) 2.2kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 500nA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kOhms SC-89, SOT-490 DTC123J
RN1105ACT(TPL3) TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Toshiba Semiconductor and Storage 80mA 50V 100mW Surface Mount NPN - Pre-Biased CST3 2.2kOhms 150mV @ 250µA, 5mA 500nA 80 @ 10mA, 5V 47kOhms SC-101, SOT-883
RN2109MFV,L3F TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Toshiba Semiconductor and Storage 100mA 50V 150mW Surface Mount PNP - Pre-Biased VESM 47kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 500nA 70 @ 10mA, 5V 22kOhms SOT-723
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярные транзисторы с предварительно заданным током смещения (BRT) - это транзиcтор на одном кристалле с которым расположены резисторы смещения, обеспечивающие оптимальный режим переключения. Такая компоновка обеспечивает минимальную стоимость узлов, созданных с применением таких транзисторов.

Электрические характеристики BRT зависят от значений используемых внутренних резисторов. Необходимо выбрать оптимальные BRT, и в данном разделе добавлены два дополнительных поля для подбора компонентов: R1 - резистор базы и R2 - резистор эмиттер-база.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.