Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 80mA в корпусе SSSMini6-F1

Найдено: 14
  • TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SSSMini6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 80MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SSSMini6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 80MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SSSMini6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz, 80MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SSSMini6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz, 80MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms, 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SSSMini6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz, 80MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS 2NPN PREBIAS SSSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SSSMini6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SSSMini6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz, 80MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms, 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms, 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SSSMini6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz, 80MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms, 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms, 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SSSMini6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 80MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SSSMini6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz, 80MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms, 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SSSMini6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz, 80MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SSSMini6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz, 80MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SSSMini6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 80MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SSSMini6-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz, 80MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: