-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-553
- Тип корпуса: SOT-553
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 40V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-553
- Тип корпуса: SOT-553
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 40V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100