Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 500mA в корпусе SOT-23-3

    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 38
  • DDTD114GC-7-F
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 56 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDTD122LC-7-F
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 56 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 220Ohms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDTB133HC-7-F
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 56 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 3.3kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDTB113EC-7-F
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 33 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 1kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 1kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDTB123EC-7-F
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 39 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDTD122JC-7-F
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 47 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 220Ohms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDTD143TC-7-F
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDTD133HC-7-F
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 56 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 3.3kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDTB114EC-7-F
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 56 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDTD114TC-7-F
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDTB123YC-7-F
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 56 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDTD123TC-7-F
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDTB142JC-7-F
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 56 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 470Ohms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDTB143EC-7-F
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 47 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDTD113ZC-7-F
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 56 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 1kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100