Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения I_C(MAX) 100mA, 500mA в корпусе SMT6

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-74, SOT-457
• Тип корпуса: SMT6
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz, 200MHz
• Резистор базы (R1): 10kOhms, 100Ohms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-74, SOT-457
• Тип корпуса: SMT6
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500µA
• Граничная частота: 200MHz, 250MHz
• Резистор базы (R1): 1kOhms, 10kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms, 10kOhms

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: SC-74, SOT-457
• Тип корпуса: SMT6
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
• Граничная частота: 250MHz
• Резистор базы (R1): 100kOhms, 2.2kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms