Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 600mA в корпусе SMT3
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 6.8 kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 6.8 kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 6.8 kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 820 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 820 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 820 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100