Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 600mA в корпусе SMT3; MPAK
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3; MPAK
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 500 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3; MPAK
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 1kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3; MPAK
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 280 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3; MPAK
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 500 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100