Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 500mA в корпусе SC-74R

    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • IMD10AMT1G
    TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-74, SOT-457
    • Тип корпуса: SC-74R
    • Мощность - Макс.: 285mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 13kOhms, 130Ohms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NSVIMD10AMT1G
    SURF MT BIASED RES XSTR
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-74, SOT-457
    • Тип корпуса: SC-74R
    • Мощность - Макс.: 285mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 13kOhms, 130Ohms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100