Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 100mA в корпусе PG-TSLP-3-4
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 170MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 160MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 160MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 160MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 20mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 20mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100