• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 20
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
BCR523E6327HTSA1 TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3 Infineon Technologies 500mA 50V 330mW Surface Mount NPN - Pre-Biased PG-SOT23 1kOhms 300mV @ 2.5mA, 50mA 100nA (ICBO) 70 @ 50mA, 5V 100MHz 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCR503E6393HTSA1 TRANS PREBIAS PNP SOT23 Infineon Technologies 500mA 50V 330mW Surface Mount NPN - Pre-Biased PG-SOT23 2.2kOhms 300mV @ 2.5mA, 50mA 100nA (ICBO) 40 @ 50mA, 5V 100MHz 2.2kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCR533E6327HTSA1 TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Infineon Technologies 500mA 50V 330mW Surface Mount NPN - Pre-Biased PG-SOT23 10kOhms 300mV @ 2.5mA, 50mA 100nA (ICBO) 70 @ 50mA, 5V 100MHz 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCR 569 E6327 TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3 Infineon Technologies 500mA 50V 330mW Surface Mount PNP - Pre-Biased PG-SOT23 4.7kOhms 300mV @ 2.5mA, 50mA 100nA (ICBO) 120 @ 50mA, 5V 150MHz TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCR523E6433HTMA1 TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3 Infineon Technologies 500mA 50V 330mW Surface Mount NPN - Pre-Biased PG-SOT23 1kOhms 300mV @ 2.5mA, 50mA 100nA (ICBO) 70 @ 50mA, 5V 100MHz 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100