- Тип корпуса
- Производитель
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Тип транзистора
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SIP
- Тип корпуса: NS-B1
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SIP
- Тип корпуса: NS-B1
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 80MHz
- Резистор базы (R1): 510Ohms
- Резистор эмиттер-база (R2): 5.1kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SIP
- Тип корпуса: NS-B1
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 80MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SIP
- Тип корпуса: NS-B1
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 150MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SIP
- Тип корпуса: NS-B1
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SIP
- Тип корпуса: NS-B1
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 100mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SIP
- Тип корпуса: NS-B1
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 80MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SIP
- Тип корпуса: NS-B1
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 35 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 80MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SIP
- Тип корпуса: NS-B1
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 150MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SIP
- Тип корпуса: NS-B1
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 150MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SIP
- Тип корпуса: NS-B1
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 150MHz
- Резистор базы (R1): 510Ohms
- Резистор эмиттер-база (R2): 5.1kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SIP
- Тип корпуса: NS-B1
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 150MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SIP
- Тип корпуса: NS-B1
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 150MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100