Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 600mA в корпусе Mini3-G3-B

    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • DRC2614T0L
    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 600mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRC2643T0L
    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 600mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100