Найдено: 83
  • NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 100kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS PNP 0.15W SC89
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 1kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 100MA 50V SC-89
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Серия: DTC143Z
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 100MA 50V SOT-416FL
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Серия: DTC114Y
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased + Diode
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS PNP 0.15W EMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 100kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 100MA 50V SOT-416FL
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Серия: DTA144E
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased + Diode
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 100MA 50V SOT-416FL
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Серия: DTA143Z
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased + Diode
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 100MA 50V SOT-416FL
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Серия: DTA143T
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: