Найдено: 36
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
Серия
PDTC124EQCZ PDTC124EQC/SOT8009/DFN1412D-3 Nexperia USA Inc. 100mA 50V 360mW Surface Mount, Wettable Flank NPN - Pre-Biased DFN1412D-3 22kOhms 100mV @ 500µA, 10mA 100nA 60 @ 5mA, 5V 230MHz 22kOhms 3-XDFN Exposed Pad
PDTC114YQC-QZ PDTC114YQC-Q/SOT8009/DFN1412D- Nexperia USA Inc. 100mA 50V 360mW Surface Mount, Wettable Flank NPN - Pre-Biased DFN1412D-3 10kOhms 100mV @ 250µA, 5mA 100nA 100 @ 5mA, 5V 230MHz 47kOhms 3-XDFN Exposed Pad Automotive, AEC-Q101
PDTA114YQCZ PDTA114YQC/SOT8009/DFN1412D-3 Nexperia USA Inc. 100mA 50V 360mW Surface Mount, Wettable Flank PNP - Pre-Biased DFN1412D-3 10kOhms 100mV @ 250µA, 5mA 100nA 100 @ 5mA, 5V 180MHz 47kOhms 3-XDFN Exposed Pad
PDTC114EQC-QZ PDTC114EQC-Q/SOT8009/DFN1412D- Nexperia USA Inc. 100mA 50V 360mW Surface Mount, Wettable Flank NPN - Pre-Biased DFN1412D-3 10kOhms 100mV @ 500µA, 10mA 100nA 30 @ 5mA, 5V 230MHz 10kOhms 3-XDFN Exposed Pad Automotive, AEC-Q101
PDTA114EQC-QZ PDTA114EQC-Q/SOT8009/DFN1412D- Nexperia USA Inc. 100mA 50V 360mW Surface Mount, Wettable Flank PNP - Pre-Biased DFN1412D-3 10kOhms 100mV @ 500µA, 10mA 100nA 30 @ 5mA, 5V 180MHz 10kOhms 3-XDFN Exposed Pad Automotive, AEC-Q101
PDTC143EQC-QZ PDTC143EQC-Q/SOT8009/DFN1412D- Nexperia USA Inc. 100mA 50V Surface Mount, Wettable Flank NPN - Pre-Biased DFN1412D-3 4.7kOhms 150mV @ 500µA, 10mA 1µA 30 @ 10mA, 5V 230MHz 4.7kOhms 3-XDFN Exposed Pad Automotive, AEC-Q101