- Тип корпуса
- Производитель
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Тип транзистора
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1110D-3
- Мощность - Макс.: 340mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 230MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1110D-3
- Мощность - Макс.: 340mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 180MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1110D-3
- Мощность - Макс.: 340mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 180MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1110D-3
- Мощность - Макс.: 340mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 180MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1110D-3
- Мощность - Макс.: 340mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 230MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1110D-3
- Мощность - Макс.: 340mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 180MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1110D-3
- Мощность - Макс.: 340mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 230MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1110D-3
- Мощность - Макс.: 340mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 230MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1110D-3
- Мощность - Макс.: 340mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 180MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1110D-3
- Мощность - Макс.: 340mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 180MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1110D-3
- Мощность - Макс.: 340mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 230MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1110D-3
- Мощность - Макс.: 340mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 180MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1110D-3
- Мощность - Макс.: 340mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 180MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1110D-3
- Мощность - Макс.: 340mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 180MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1110D-3
- Мощность - Макс.: 340mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 180MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100