- Тип корпуса
- Производитель
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Тип транзистора
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBLS2003S,115 | TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO | NXP USA Inc. | 100mA, 3A | 50V, 20V | 1.5W | Surface Mount | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP | 8-SO | 10kOhms | 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A | 1µA, 100nA | 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V | 100MHz | 10kOhms | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| PBLS2002S,115 | TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO | NXP USA Inc. | 100mA, 3A | 50V, 20V | 1.5W | Surface Mount | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP | 8-SO | 4.7kOhms | 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A | 1µA, 100nA | 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V | 100MHz | 4.7kOhms | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| PBLS2001S,115 | TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO | NXP USA Inc. | 100mA, 3A | 50V, 20V | 1.5W | Surface Mount | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP | 8-SO | 2.2kOhms | 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A | 1µA, 100nA | 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V | 100MHz | 2.2kOhms | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
- 10
- 15
- 50
- 100